نهایت علم elmend

گامی دیگر به سمت تولید دستگاه های ذخیره سازی داده با ظرفیت بالا

گامی دیگر به سمت تولید دستگاه های ذخیره سازی داده با ظرفیت بالا

نهایت علم: دانشمندان ˮدانشگاه توکیوˮ در پژوهش جدیدی، گامی به سمت تولید دستگاه های ذخیره سازی داده با ظرفیت بالا برداشته اند.


به گزارش نهایت علم به نقل از ایسنا و به نقل از ایشیا ریسرچ نیوز، دانشمندان مؤسسه علوم صنعتی در "دانشگاه توکیو"(UTokyo)، ترانزیستورهای اثر میدانی سه بعدی با شکل عمودی را ابداع نموده اند تا به تولید دستگاه های ذخیره سازی داده با ظرفیت بالا بپردازند. علاوه بر این، آنها با بهره گیری از خاصیت آنتی فروالکتریک بجای فروالکتریک دریافتند که برای پاک کردن داده ها تنها به شارژ کمی نیاز است تا عملیات، کارآمدتر شود. این پژوهش ممکنست به ابداع حافظه های جدیدی برای ذخیره سازی داده کمک نماید که کوچک تر هستند و سازگاری بیشتری با محیط زیست دارند.
بااینکه فلش درایوهای مورد استفاده از نظر اندازه، ظرفیت، مقرون به صرفه بودن و ذخیره داده ها، پیشرفت های زیادی نسبت به فرمت های پیشین دارند اما یادگیری ماشینی و برنامه های کاربردی "کلان داده"(Big Data) همچنان تقاضا را برای نوآوری می افزایند. علاوه بر این، دستگاه های مجهز به رایانش ابری سیار و اینترنت اشیا در آینده به حافظه ای با انرژی کارآمد و اندازه کوچک نیاز خواهند داشت.
گروهی از پژوهشگران دانشگاه توکیو حالا اولین نمونه از یک سلول حافظه فشرده سه بعدی را بر طبق ترانزیستورهای اثر میدان فروالکتریک و آنتی فروالکتریک ابداع نموده اند. این ترانزیستورها همیشه به برق نیاز ندارند. ساختار عمودی دستگاه، تراکم اطلاعات را بیشتر می کند و نیاز به انرژی را کم می کند.
مواد فروالکتریک دارای دوقطبی های الکتریکی هستند که وقتی در یک جهت تراز شوند، پایدارترین نمونه مواد را ارائه می دهند. اکسید هافنیوم فروالکتریک، تراز عمودی دوقطبی ها را خود به خود امکان پذیر می کند. اطلاعات در لایه فروالکتریک ذخیره می شوند که به سبب تغییر در مقاومت الکتریکی، بوسیله سیستم قابل خواندن است. از طرف دیگر، آنتی فروالکتریک ها تمایل دارند دوقطبی ها را عوض و بدل کنند و این کار، عملیات پاک کردن کارآمد را در کانال نیمه هادی امکان پذیر می کند.
"ژو لی"(Zhuo Li)، پژوهشگر ارشد این پروژه اظهار داشت: ما نشان دادیم که دستگاه ما حداقل برای ۱۰۰۰ چرخه، پایدار می باشد.
این گروه پژوهشی، آزمایش خودرا با ضخامت های مختلف سطح برای لایه اکسید ایندیوم انجام دادند. آنها دریافتند که بهینه سازی این پارامتر می تواند منجر به افزایش قابل توجهی در عملکرد دستگاه شود. همین طور آنها از شبیه سازی های کامپیوتری برای ترسیم پایدارترین حالت های سطح استفاده کردند.
"ماساهارو کوبایاشی"(Masaharu Kobayashi)، از پژوهشگران این پروژه اظهار داشت: روش ما این پتانسیل را دارد که حوزه حافظه غیر فرار را تا اندازه قابل توجهی بهبود ببخشد.
این پژوهش با بهره گیری از هر دو نمونه آزمایشی و همراه با شبیه سازی کامپیوتری ممکنست به فعال کردن تجهیزات الکترونیکی آینده کمک نماید.




منبع:

1401/03/23
10:01:24
5.0 از 5
296
این مطلب را می پسندید؟
(1)
(0)

تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب
لطفا شما هم نظر دهید
= ۲ بعلاوه ۳
نهایت علم